1.8V串行四I / O（ SQI ）快闪记忆体
SST26WF032
超前信息
页面-计划
本页面编程指令的程序多达256字节的内存数据。该数据
启动页编程操作之前选定的页面地址必须在擦除状态（ FFH ） 。
应用到受保护的存储器区域A页数-程序将被忽略。之前，该程序的操作，
执行WREN指令。
要执行页编程操作，主机驱动器CE＃为低电平，然后发送该网页程序的COM
命令周期（ 02H ） ，三个地址周期之后的数据进行编程，然后驱动CE ＃高。
编程的数据必须介于1到256字节，并在整个字节为单位;发送奇数
半字节的数目将导致最后半个字节被忽略。每个周期为两个半字节（时钟）长，最
第一显著位。轮询状态的BUSY位寄存器或等待牛逼
PP
为完成内部的，
自定时，页编程操作。参见图18的页面程序序列。
当执行页面编程，用于SST26WF032存储器范围被划分为256字节的页
边界。该器件通过维持去年256处理超过256个字节的数据转移
数据作为正确数据的字节进行编程。如果目标地址的页，程序
指令不在页边界上的开始（ A7：A0是不是所有的零） ，以及数据的数目
输入超过或重叠的页边界的地址的结束时，多余的数据输入端缠绕
周围和将在该目标页的起始编程。
CE＃
模式3
0
2
4
6
8
10
12
542
SCK
SIO （3 ：0）
模式0
C1 C0 A5 A4 A3 A2 A1 A0 H0 H1 L0 L1 L2 H2
MSN LSN
数据字节0数据字节1数据字节2
HN LN
数据字节255
1409 F10.0
注意：
MSN =最高有效半字节， LSN =最低有效半字节
C [ 1：0] = 02H
图18 ：页面程序
顺序
写暂停和写简历
写暂停允许扇区擦除，块擦除或页编程操作都必须在中断
为了擦除，编程，或者在存储器的另一部分中读取数据。原来的操作可以CON组
tinued与写简历的命令。
只有一个写入操作可以同时停用;如果操作已经停止，该装置
将忽略写暂停命令。在芯片擦除写暂停被忽略;芯片擦除是
不是有效的命令而写暂停。
写暂停在扇区擦除或块擦除
发行期间扇区擦除或块擦除写暂停指令允许主机编程或
阅读没有被删除的任何部门。该设备将忽略任何编程指令点 -
荷兰国际集团为暂停扇区（多个） 。任何试图从暂停扇区（ S）将输出未知阅读
因为数据在扇区擦除或块擦除将是不完整的。
2010硅存储技术公司
S71409-01-000
01/10
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