恩智浦半导体
NE57810
先进的DDR存储器终端电源与外部参考
电压
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
EXTREFIN
100 k
OVER-
当前
OVER-
温度
REFOUT
100 k
V
TT
一。 '0'数据
B 。 '1'的数据
014aaa424
V
SS
014aaa410
图5 。
V
TT
装载条件
图6 。
框图
这就产生了最坏的情况下的电流负载
方程1：
N
DDR
V
DD
I
O（最大值）
=
--------------------------
-
2
(
R
T
+
R
S
)
其中：
(1)
N
DDR
是终止的控制，地址和数据线的DDR存储器中的总数
系统。 （典型地192）。
R
T
是的端接电阻器的值。
R
S
是从有源输出驱动器的串联电阻值。
因此，最坏情况下的电流负载条件下，那里有要么全1或全0的
瞬间，和R
T
27
和R
S
20
,
产生的瞬间输出电流
无论是3.5 A或
3.5
A.
10.热设计
设计良好的散热系统，为NE57810是其可靠的重要
操作。该NE57810将在平均的功率电平小于所述操作
的部分的最大额定值。在一个典型的DDR终端系统的平均功率
功耗为0.8 W和1.5 W之间
终止功率将随1和0的变化时平均数
在DDR内存的正常运行。负载电流将假定为每个新值
总线周期在266MHz的速率，并且将增加和减少的统计平均
总线状态改变。
终止子散热器必须设计成适应的平均功率为
稳态条件并且能够承受增加的瞬时时间
耗散，通常为2秒5秒的持续时间。对于典型NE57810
应用程序时，通过终止所消耗的功率可以由下式计算
公式2 ：
P
D
=
I
DD
×
V
TT
W
NE57810_4
(2)
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牧师04 - 2008年11月24日
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