恩智浦半导体
NE57810
先进的DDR存储器终端电源与外部参考
电压
5毫伏
V
TT
0.5毫伏
2
3
A
I
TT
1
+3 A
CH3
25.0毫伏Ch4的10.0毫伏M10.0
s
CH1 200毫伏通道2 200毫伏
014aaa427
M50.0
s
Ch2
100
mV
014aaa428
图9 。
V
TT
瞬态响应
（输出滤波器50
F
陶瓷）
图10. V
DD
到V
TT
响应
（输出滤波器50
F
陶瓷）
V
TT
V
TT
35
A
V
REF
输入
I
TT
+35 A
CH1
500毫伏通道2
500毫伏
M10.0
s
014aaa421
CH3 25.0毫伏Ch4的10.0毫伏M10.0
s
014aaa422
图11. V
REF
到V
TT
瞬态响应
（输出滤波器820
F
+ 50
F
陶瓷）
图12. V
REF
到V
TT
瞬态响应
（输出滤波器50
F
陶瓷）
NE57810_4
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牧师04 - 2008年11月24日
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