恩智浦半导体
NE57810
先进的DDR存储器终端电源与外部参考
电压
8.应用设计信息
该NE57810可以在各种的DDR存储器CON组fi gurations使用。它占地面积小，
快速瞬态响应和大容量输出电容需求减少，使得它
适应性强。一些使用实例的方法在下面描述
部分。
8.1正常工作模式（V
TT
= V
DDR
/2)
的DDR终端稳压器采用最常见的实现NE57810是
所示
图2中。
该NE57810有V之间的内部电阻分压器
DD
（ 2脚）
和V
SS
（引脚3 ）管脚即保持输出电压V
TT
在V
DD
/2.
通常情况下，在V
DD
电压是在DDR RAM的供电电压，其范围可以从
1.8 V至2.5 V的中心的这个电阻分压器节点被连接到ExtRefIn （引脚4）。
此节点充当对于V基准
TT
输出电压和缓冲REFOUT信号
（ 5脚） 。
如果ExtRefIn管脚没有连接到其它电压源，两个小的旁路电容
(0.01
F)
应当放置在ExtRefIn销和V之间
SS
和V
DD
针改善
终结者的噪声性能。这两个电容改善使终结者
为更好地跟踪在内存v任何变化
DD
电压。这种方法可以在可见
图2中。
+V
DD
2
0.01F
V
DD
1
5
COUT
（ LF ）
COUT
（ HF ）
+V
TT
NE57810
CIN
4
EXTREFIN
REFOUT
0.01F
V
SS
3
GND
GND
V
REF
014aaa409
图2 。
正常操作方法（V
TT
= V
DD
/2)
有两个组成部分的存储器信号负载：高频分量
所引起的266兆赫加上地址，数据和控制总线的速度和低的
引起的所有总线的时间平均偏移频率分量规定距
同等数量的1和0 。电解电容和钽电容电感表现在
在高频率，因此两种类型的电容器所需的输出音响滤波。
不低于470非常好，低ESR的大容量电解电容
F
应置于
旁边，这反过来，应放置在尽可能靠近于所述存储器中的终止子
数组。还需要高速的多个高频陶瓷滤波器电容
短暂的网络滤波，输出稳定。这些电容器可从V
TT
到V
SS
（示于
图表） ，或从V一半
TT
到V
DD
与从V的另一半
TT
到V
SS
因此，输出
将更好地跟踪在V任何变化
DD
电压。
NE57810_4
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师04 - 2008年11月24日
3 16
