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热
表79.封装热特性（续）
特征
结到环境（为200英尺/分钟）
结至电路板的热
结至外壳热
JEDEC董事会
四层板（ 2S2P ）
—
—
符号
R
θJA
R
θJB
R
θJC
价值
14
10
＆ LT ; 0.1
单位
° C / W
° C / W
° C / W
笔记
1, 2
3
4
笔记
1.结温是芯片尺寸的功能，片上功耗，封装热阻，安装位置（板）
温度，环境温度，空气溢流外，其它元件在电路板的功耗和电路板热
性。
2.根据JEDEC JESD51-2和JESD51-6用板（ JESD51-9 ）水平。
模具和根据JEDEC JESD51-8的印刷电路板3之间的热阻。电路板温度测量
在电路板上封装附近的顶表面上。
所述管芯的有源表面和通过冷板的方法测定的情况下顶面4之间的热阻
（ MIL SPEC - 883方法1012.1 ），与计算出的外壳温度。实际热阻小于0.1 C / W的
C / W
模拟与散热片已经做完了安装在2S2P热测试板的封装。导热界面材料
是一个典型的导热硅脂，如道康宁340或韦克菲尔德120 grease.For系统散热造型， MPC8535E
没有盖子的热模型示于
图72
衬底被建模为一个块29 X 29 ×1.2毫米的平面内
电导率为19.8瓦/米 K和1.13瓦/米 K A贯通面的导电性。焊球和空气被建模为一个单一的
方框29 X 29 ×0.5毫米的平面内导电0.034瓦/米 K和12.1瓦/米 K A通过平面电导率。该
模具被建模为9.6 X 9.57毫米，厚度为0.75毫米。凹凸/底部填充层被建模为一个折叠的热
在芯片和衬底之间的电阻假设为7.5瓦/米 K A传导率在0.07毫米厚度尺寸。模具
为中心的基底上。热模型采用近似的尺寸，以减少电网。请参阅案件大纲
实际尺寸。
2.24.2
推荐热模型
表80. MPC8535E热模型
电导率
价值
模具（ 9.6x9.6
×
0.85 mm)
硅
随温度变化
—
单位
凹凸/底部填充（ 9.6 ×9.6
×
0.07毫米）折叠热阻
Kz
7.5
基板（ 29
×
29
×
1.2 mm)
Kx
Ky
Kz
19.8
19.8
1.13
焊料和空气（ 29
×
29
×
0.5 mm)
Kx
Ky
Kz
0.034
0.034
12.1
瓦/米
瓦/米
瓦/米
MPC8535E的PowerQUICC III集成处理器的硬件规格，第2版
110
飞思卡尔半导体公司
