位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第813页 > MPC8535AVTAQG > MPC8535AVTAQG PDF资料 > MPC8535AVTAQG PDF资料1第109页
热
2.23.6
2.23.6.1
频率选项
系统时钟为平台频率选项
表78
使用CCB时钟SYSCLK比在当显示该平台频率预期的频率值
相比于存储器总线时钟速度。
系统时钟相对于内存频率表78.频率选项
建行
系统时钟比率
33.33
41.66
66.66
系统时钟（兆赫）
83
100
111
133.33
平台/建行频率（MHz ）
3
4
5
6
8
10
12
333
400
333
417
500
333
400
333
415
500
400
500
333
444
400
2.24
热
本节介绍MPC8535E的散热规范。
2.24.1
热特性
表79.封装热特性
特征
JEDEC董事会
单层电路板（ 1S）
四层板（ 2S2P ）
单层电路板（ 1S）
符号
R
θJA
R
θJA
R
θJA
价值
23
18
18
单位
° C / W
° C / W
° C / W
笔记
1, 2
1, 2
1, 2
表79
提供的封装热特性。
结到环境自然对流
结到环境自然对流
结到环境（为200英尺/分钟）
MPC8535E的PowerQUICC III集成处理器的硬件规格，第2版
飞思卡尔半导体公司
109
