初步
CY14B101LA ， CY14B101NA
数据保留和耐力
参数
数据
R
NV
C
数据保留
非易失性存储操作
描述
民
20
200
单位
岁月
K
电容
参数
[13]
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC
（典型值）
最大
7
7
单位
pF
pF
热阻
参数
[13]
描述
测试条件
54 - TSOP II 48 - SSOP 44 - TSOP II
30.73
6.08
待定
待定
31.11
5.56
32-SOIC
待定
待定
单位
° C / W
° C / W
Θ
JA
Θ
JC
热阻测试条件遵循标准
（结到环境）的测试方法和程序
热电阻测量的热阻抗，
按照EIA / JESD51 。
（结点到外壳）
图5. AC测试负载
577Ω
3.0V
产量
30 pF的
R2
789Ω
R1
577Ω
3.0V
产量
5 pF的
R1
对于三态规格
R2
789Ω
AC测试条件
输入脉冲电平............................................... ..... 0V到3V
输入上升和下降时间（ 10 ％ - 90 ％ ） ........................ <3 NS
输入和输出时序参考电平1.5V ....................
记
13.这些参数由设计保证，未经测试。
文件编号： 001-42879修订版* C
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