初步
CY14B101LA ， CY14B101NA
AC开关特性
参数
描述
柏
ALT
参数
参数
SRAM读周期
t
ACS
芯片使能存取时间
t
ACE
t
RC
读周期时间
t
RC[14]
t
AA[15]
t
美国能源部
t
OHA[15]
t
LZCE [13 ， 16]
t
HZCE [13 ， 16]
t
LZOE [13 ， 16]
t
HZOE [13 ， 16]
t
PU[13]
t
AA
t
OE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OLZ
t
OHZ
t
PA
地址访问时间
输出使能到数据有效
地址变更后的输出保持
芯片使能到输出有效
芯片禁用到输出无效
输出使能输出活跃
输出禁止到输出无效
芯片使能为功耗工作
芯片禁用到备用电源
字节使能到数据有效
字节使能输出活跃
字节禁用输出无效
写周期时间
把脉冲宽度
芯片使能写操作的结束
数据建立到写结束
写入结束后数据保持
地址设置为写操作结束
地址设置到开始写
写入结束后地址保持
写使能到输出禁止
输出写入结束后主动
字节使能，以结束写的
0
8
20
15
15
8
0
15
0
0
8
3
15
3
20
25
20
20
10
0
20
0
0
10
3
30
0
20
10
0
10
45
30
30
15
0
30
0
0
15
0
8
0
25
12
0
15
3
3
8
0
10
0
45
20
20纳秒
民
最大
20
20
20
10
3
3
10
0
15
25
25
12
3
3
15
25纳秒
民
最大
25
45
45
20
45纳秒
民
最大
45
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
PS
t
PD[13]
t
DBE[[13]
-
[13]
-
t
LZBE
[13]
-
t
HZBE
SRAM写周期
t
WC
t
WC
t
WP
t
PWE
t
CW
t
SCE
t
DW
t
SD
t
DH
t
HD
t
AW
t
AW
t
AS
t
SA
t
WR
t
HA
t
WZ
t
HZWE [13 ， 16，17]
t
LZWE [13 ， 16]
t
BW
t
OW
-
开关波形
控制地址：图6. SRAM读周期＃ 1
[14, 15, 18]
t
RC
地址
地址有效
t
AA
数据输出
以前的数据有效
t
OHA
输出数据有效
笔记
14.我们必须为高电平期间SRAM读周期。
15.设备不断选择通过CE ， OE和BHE / BLE低。
16.测量± 200 mV的自稳态输出电压。
17.如果我们为低电平时， CE为低电平，输出保持在高阻抗状态。
18. HSB必须在读取和写入周期保持高电平。
文件编号： 001-42879修订版* C
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