初步
CY14B101LA ， CY14B101NA
设备操作
该CY14B101LA / CY14B101NA的nvSRAM是由两个
功能组件配对在相同的物理单元中。他们是
一个SRAM的存储单元和一个非易失性QuantumTrap细胞。该
SRAM存储单元作为一个标准的快速静态RAM 。数据
在SRAM中被转移到非易失性细胞（对STORE
操作） ，或从非易失性细胞到SRAM （该RECALL
操作）。使用这种独特的架构，所有的细胞都存储和
回忆并行。在STORE和RECALL操作，
SRAM读取和写入操作被禁止。该
CY14B101LA / CY14B101NA支持无限的读取和写入
类似于典型的SRAM 。此外，它提供了无限的RECALL
从非易失性单元和高达200K的存储操作
操作。参阅
真值表的SRAM操作
on
16页的读写模式的完整描述。
记
如果电容器没有连接到V
帽
针，自动存储
必须使用指定的软序列被禁用
预防
自动存储
第6页。如果对自动存储是没有启用
电容上的V
帽
引脚时，设备会尝试的自动存储
如果没有足够的充电操作来完成存储。这
可能会损坏存储的nvSRAM中的数据。
图4
示出了存储电容器的正确连接
(V
帽
）自动存储操作。请参阅
直流电气
特征
对于V的大小8页
帽
。上的电压
在V
帽
引脚被驱动到V
CC
通过在芯片上的调节器。一个地方
拉起WE持有上电时它处于非活动状态。这种拉涨是
唯一有效的，如果WE信号是在上电时三态。许多
MPU的三态上电时的控制。这必须得到验证
使用拉涨的时候。当的nvSRAM出来的
电源接通召回时，MPU必须处于活动状态或在WE保持无效
直到MPU脱离复位状态。
为了减少不必要的非易失性存储，自动存储和
五金店操作被忽略，除非至少有一个
自从最近商店的写操作已经发生或
RECALL周期。启动软件商店周期执行
不管写操作是否已经发生。该
HSB信号是由系统监控，如果一个自动存储到检测
周期正在进行中。
图4.自动存储模式
VCC
SRAM读
该CY14B101LA / CY14B101NA执行一个读周期时
CE和OE是低电平， WE和HSB是HIGH 。地址
引脚指定的
0-16
OR A
0-15
确定哪一个131072的
数据字节或每16位65536字进行存取。字节
使（ BHE ， BLE）确定哪些字节使能到
输出，在16位字的情况。当通过开始的读取
的地址转换时，输出是有效吨的延迟之后
AA
（读周期1） 。如果读通过CE或OE ，输出启动
是在t有效
ACE
或者在t
美国能源部
，以较迟者为准（读周期2 ） 。该
数据输出反复进行响应，以解决内的变化
t
AA
无需转换任何控制访问时间
输入引脚。这仍然有效，直到另一个地址变更或
直到CE或OE变为高电平，否则我们还是HSB变为低电平。
0.1uF
10kOhm
VCC
SRAM写
写周期完成时， CE和WE低， HSB
为HIGH 。地址输入必须在进入之前稳定
写周期，必须保持稳定，直到CE或WE变为高电平时
该循环的结束。对通用I数据输入/输出引脚DQ
0–15
被写入到存储器中，如果该数据是有效的吨
SD
年底前
的WE控制写入或一个CE控制在年底前
写。字节使能输入（ BHE ， BLE）确定哪些字节
被写入，在16位字的情况。 OE保持在高
在整个写周期，以避免对公共数据总线争用
I / O线。如果OE保持低电平，内部电路关闭输出
缓冲区吨
HZWE
当我们变低。
WE
V
帽
V
SS
V
帽
硬件存储操作
该CY14B101LA / CY14B101NA提供了HSB
[8]
销到
控制并确认存储操作。使用HSB
引脚请求五金店周期。当HSB引脚
驱动为低电平时， CY14B101LA / CY14B101NA条件
发起吨后STORE操作
延迟
。实际STORE周期
只有开始如果写入到SRAM自上次已经发生
存储或调用周期。 HSB的销也作为一个开放
漏极驱动程序是一种内部驱动到低电平，表示忙碌
当存储（通过任何方式发起）是在状态
进展情况。
SRAM写操作正在进行中时， HSB驱动
低以任何方式给出时间（t
延迟
）前完成
启动存储操作。但是，任何的SRAM写
HSB要求后周期变低被禁止，直到HSB
返回高电平。的情况下的写锁存器未被设置， HSB不被驱动
LOW由CY14B101LA / CY14B101NA 。但是，任何SRAM读
和写周期被禁止，直到HSB返回HIGH由MPU
或其它外部源。
第24 4
自动存储操作
该CY14B101LA / CY14B101NA将数据存储到所述的nvSRAM
使用以下三个存储操作之一：硬件
存储由HSB激活;软件商店通过激活
地址序列;自动存储在设备断电。该
自动存储操作QuantumTrap的一大特色
技术
和
is
启用
by
默认
on
该
CY14B101LA/CY14B101NA.
在正常操作期间，该器件消耗的电流从V
CC
to
充电连接至V的电容器
帽
引脚。此存储
充电所使用的芯片来执行单个STORE操作。
如果在V的电压
CC
引脚低于V
开关
中，部分
自动断开V
帽
引脚从V
CC
。商店
启动与由V提供的功率运行
帽
电容。
文件编号： 001-42879修订版* C
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