恩智浦半导体
74HC299 ; 74HCT299
8位通用移位寄存器;三态
表7中。
动态特性
- 续
GND（地= 0V） ;对于测试电路中，看到
图11 。
符号
参数
条件
民
t
W
脉冲宽度
CP高或低;看
图7
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
MR低;看
图8
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
t
PZH
OFF状态，以
高
传播
延迟
OFF状态，以
低
传播
延迟
高
关闭状态
传播
延迟
低
关闭状态
传播
延迟
恢复时间
OEN到I /开;看
图10
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
t
PZL
OEN到I /开;看
图10
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
t
PHZ
OEN到I /开;看
图10
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
t
PLZ
OEN到I /开;看
图10
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
t
REC
MR到CP ;看
图8
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
5
5
5
14
5
4
-
-
-
5
5
5
-
-
-
5
5
5
-
-
-
ns
ns
ns
-
-
-
55
20
16
155
31
26
-
-
-
195
39
33
-
-
-
235
47
40
ns
ns
ns
[5]
[4]
25
°C
典型值
17
6
5
19
7
6
50
18
14
41
15
12
66
24
19
最大
-
-
-
-
-
-
155
31
26
130
26
22
185
37
31
40 °C
to
+85
°C
民
100
20
17
100
20
17
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
-
-
-
195
39
33
165
33
28
230
46
39
40 °C
to
+125
°C
民
120
24
20
120
24
20
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
-
-
-
235
47
40
195
39
33
280
56
48
单位
80
16
14
80
16
14
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
74HC_HCT299_3
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牧师03 - 2008年7月28日
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