恩智浦半导体
74HC299 ; 74HCT299
8位通用移位寄存器;三态
t
r
V
I
OEN输入
GND 10 ％
t
PLZ
V
OH
我/在输出
低到OFF
截止到低
V
OL
t
PHZ
V
OH
我/在输出
高到关
截止到HIGH
V
OL
输出
启用
90 %
90 %
V
M
t
f
t
PZL
V
M
10 %
t
PZH
V
M
输出
残
输出
启用
001aai465
在测量点中给出
表8 。
V
OL
和V
OH
是随输出负载所发生的典型的电压输出电平。
图10.三态启用和禁用时间OEN输入
表8 。
TYPE
74HC299
74HCT299
测量点
输入
V
I
V
CC
3V
V
M
0.5V
CC
1.3 V
产量
V
M
0.5V
CC
1.3 V
V
CC
VI
VO
V
CC
脉冲
发电机
RL = 1 kΩ的
CL
50 pF的
S1
DUT
RT
开放
001aai466
测试数据列于
表9 。
德网络nitions测试电路：
DUT =被测设备。
R
T
=端接电阻应等于输出阻抗Z
o
的脉冲发生器。
C
L
=负载电容包括夹具和探头电容。
R
L
=负载电阻。
S1 =测试选择开关
用于测量开关时间图11.测试电路
74HC_HCT299_3
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牧师03 - 2008年7月28日
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