恩智浦半导体
74HC299 ; 74HCT299
8位通用移位寄存器;三态
[6]
C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =产出的总和;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
在V =电源电压;
N =输入切换号码。
11.波形
V
I
I /上， DSR ， DSL
输入
GND
V
M
t
h
t
su
1/f
最大
V
I
CP输入
GND
V
M
t
h
t
su
t
W
t
PHL
V
OH
I /对， Q0 ， Q7
输出
V
OL
V
M
t
PLH
t
THL
t
TLH
001aai462
的阴影部分表示当输入允许改变用于预测的输出性能。
在测量点中给出
表8 。
V
OL
和V
OH
是随输出负载所发生的典型的电压输出电平。
图7 。
时钟脉冲输出I /开， Q0 ， Q7传播延迟，时钟脉冲宽度， I /上， DSR和DSL来
时钟脉冲的建立时间和保持时间，输出的转换时间和最大时钟频率
74HC_HCT299_3
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牧师03 - 2008年7月28日
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