恩智浦半导体
74HC299 ; 74HCT299
8位通用移位寄存器;三态
[2]
[3]
[4]
P
合计
线性减额在12毫瓦/ K以上70
°C.
P
合计
减额线性8毫瓦/ K以上70
°C.
P
合计
减额线性5.5毫瓦/ K以上60
°C.
8.推荐工作条件
表5 。
推荐工作条件
电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
ΔT/ ΔV
参数
电源电压
输入电压
输出电压
环境温度
输入过渡上升和下降率
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
-
-
-
-
1.67
-
625
139
83
-
-
-
-
1.67
-
-
1.39
-
NS / V
NS / V
NS / V
条件
74HC299
民
2.0
0
0
40
典型值
5.0
-
-
-
最大
6.0
V
CC
V
CC
74HCT299
民
4.5
0
0
典型值
5.0
-
-
-
最大
5.5
V
CC
V
CC
V
V
V
单位
+125
40
+125
°C
9.静态特性
表6 。
静态特性
在推荐工作条件;电压参考GND（地= 0V）。
符号
参数
条件
民
74HC299
V
IH
高位
输入电压
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
V
IL
低电平
输入电压
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.2
2.4
3.2
0.8
2.1
2.8
-
-
-
0.5
1.35
1.8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
V
V
V
V
V
V
25
°C
典型值
最大
40 °C
to
+85
°C
民
最大
40 °C
to
+125
°C
民
最大
单位
74HC_HCT299_3
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师03 - 2008年7月28日
7 24
