位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第533页 > AT91SAM9XE128 > AT91SAM9XE128 PDF资料 > AT91SAM9XE128 PDF资料2第24页
图8-3 。
闪存存储器第一平面制图
0x0020 0000
锁定区域0
第0页
锁定区域面积
128 ， 256或512字节
256 ， 512或
1024页
第31页
512个字节
锁定区域7 ， 15或31
0x0021 FFFF
或0x0023 FFFF
或0x0027 FFFF
32位宽
16字节
8.1.5.3
GPNVM位
可以清除或设置respec-的AT91SAM9XE128 /五百十二分之二百五十六具有4个GPNVM位
tively通过命令“清除GPNVM位”和“设定GPNVM位” EEFC网友
界面。
表8-2 。
GPNVMBit [ ＃ ]
0
1
2
3
通用非易失性存储器位
功能
安全位
掉电检测启用
掉电检测复位使能
引导模式选择（ BMS ）
8.1.5.4
安全位
该AT91SAM9XE128 /五百十二分之二百五十六有一个安全位，基于特定GPNVM位， GPN-
VMBit [0]。当启用了安全性，获得了闪存，可以通过ICE接口或
通过快速Flash编程接口，是被禁止的。这保证了机密性
在Flash中编程的代码。
禁用安全位只能通过将ERASE引脚拉高为1来实现，并经过充分
闪存擦除执行。当安全位被停用，所有对Flash是
允许的。
由于ERASE引脚集成了一个永久的下拉，就可以在正常悬空
操作。
24
AT91SAM9XE128 / 512分之256初步
6254CS–ATARM–08-Jan-10
