位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第533页 > AT91SAM9XE128 > AT91SAM9XE128 PDF资料 > AT91SAM9XE128 PDF资料2第26页
8.1.6.2
GPNVMBit [3] = 1 ，启动对内部闪存
开机慢时钟（片内RC振荡器或32,768 Hz的低功耗振荡器）
客户编程软件必须执行完整的配置。
到时，在32 kHz的启动加速引导序列，用户必须采取以下步骤：
1.程序的PMC （主振荡器使能或旁路模式）
2.程序并启动PLL
3.切换主时钟为新值。
8.2
外部存储器
外部存储器通过外部总线接口访问。每个片选线
已分配256 MB的内存区域。
参阅在存储器映射
图8-1第20页。
8.2.1
外部总线接口
集成了三个外部存储器控制器：
- 静态存储控制器
- SDRAM控制器
- ECC控制器
对NANDFlash的附加逻辑
完整的32位外部数据总线
高达26位的地址总线（最多64个字节的线性）
多达8个芯片选择，可配置的分配：
- 静态存储控制器上NCS0
- SDRAM控制器或静态存储控制器上NCS1
- 静态存储控制器上NCS2
- 静态存储控制器上NCS3 ，择NAND Flash支持
- 静态存储控制器上NCS4 - NCS5 ，可选的CF卡的支持
- 静态存储控制器上NCS6 ， NCS7
8.2.2
静态存储控制器
8位，16位或32位数据总线
支持多种接入方式
- 字节写或字节选择线
- 在页模式下异步读取支持（ 4-高达32字节页大小）
多设备的适应性
符合液晶显示模块
- 控制信号可编程设置，脉冲和保持时间每个记忆库
多等待状态管理
- 可编程等待状态产生
- 外部等待请求
- 可编程数据时差
慢时钟模式支持
26
AT91SAM9XE128 / 512分之256初步
6254CS–ATARM–08-Jan-10
