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AT91SAM9XE128 / 512分之256初步
在SAM -BA启动助手支持通过DBGU或通过串行通信
USB设备端口。
通过DBGU通信支持多种晶体的3至通过20 MHz的
软件自动检测。
通过USB设备端口的通信依赖于晶体选择：
- 仅限于18,432 Hz的晶振，如果选择内部RC振荡器
- 支持范围广泛的晶体，从3到20 MHz ，如果32,768 Hz的晶体
选
在SAM -BA启动提供了SAM -BA图形用户界面（ GUI ）的接口。
8.1.5
嵌入式闪存
在AT91SAM9XE128 /五百十二分之二百五十六的Flash组织在256/512/1024页的512字节
直接连接到32位内部总线。每个页面都包含128个字。
闪存包含一个512字节的写入缓冲器，允许一个页面的编程。该缓冲器
只写为128个32位字，并且可访问的所有沿着1兆字节的地址空间，从而使
每个字可能被写在其最后地址。
从电源复位单元的整合，并从掉电检测到Flash的好处
防止腐败的代码在电源的变化，即使在最恶劣的条件。
8.1.5.1
增强的内置Flash控制器
增强型内置Flash控制器（ EEFC ）连续计时。
增强型内置Flash控制器（ EEFC ）是一个奴隶总线矩阵，是组态
rable通过APB总线上的用户界面。它确保闪存块的与接口
在32位内部总线。它的128位宽度的存储器接口提高了性能， 4个32位数据
在每个访问读取，这相乘的吞吐量由4情况下的连续的数据。
它还管理着编程，擦除，锁定和解锁的闪存序列使用
一个完整的命令集。其中一个命令返回的嵌入式闪存描述符的定义
该通知系统有关闪存的组织，从而使软件的通用亲
的闪光（等待状态，定时，数量等）的接入参数编程
8.1.5.2
锁定区域
128 ， 256 ，512字节的存储器被组织成8 ， 16或32锁定32个地区
每个页面。每个锁区域可以独立地被锁定，从而使软件保护
对错误的编程第一个内存面：
如果锁定的区域进行擦除或编程命令时，命令被取消和EEFC
可以触发中断。
锁定位可以通过EEFC用户界面软件编程。命令“设置
锁定位“启用保护。命令“清除锁定位”解锁锁定区域。
将ERASE拉高将清除锁定位，从而解锁整个Flash 。
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6254CS–ATARM–08-Jan-10
