恩智浦半导体
BCM857BV/BS/DS
PNP / PNP匹配的双晶体管
0.20
I
C
(A)
0.16
006aaa540
I
B
（毫安） =
2.5
2.25
2.0
1.75
1.5
1.25
1.0
0.75
600
h
FE
(1)
006aaa541
400
(2)
0.12
0.08
0.5
200
(3)
0.04
0.25
0
0
2
4
6
8
10
V
CE
(V)
0
10
2
10
1
1
10
10
2
10
3
I
C
（MA ）
T
AMB
= 25
°C
V
CE
=
5
V
(1) T
AMB
= 100
°C
(2) T
AMB
= 25
°C
(3) T
AMB
=
55 °C
图1 。
集电极电流的一个函数
集电极 - 发射极电压;典型值
006aaa542
图2 。
直流电流增益作为集电体的功能
电流;典型值
006aaa543
1.3
V
BESAT
(V)
1.1
10
V
CESAT
(V)
1
0.9
0.7
(1)
(2)
(3)
0.5
0.3
10
1
(1)
(2)
(3)
0.1
10
1
1
10
10
2
I
C
（MA ）
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
I
C
（MA ）
10
3
I
C
/I
B
= 20
(1) T
AMB
=
55 °C
(2) T
AMB
= 25
°C
(3) T
AMB
= 100
°C
I
C
/I
B
= 20
(1) T
AMB
= 100
°C
(2) T
AMB
= 25
°C
(3) T
AMB
=
55 °C
图3 。
基极 - 发射极饱和电压的函数
集电极电流;典型值
图4 。
集电极 - 发射极饱和电压为
集电极电流的函数;典型值
BCM857BV_BS_DS_6
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牧师06 - 2009年8月28日
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