恩智浦半导体
BCM857BV/BS/DS
PNP / PNP匹配的双晶体管
5.极限值
表6 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
合计
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
总功耗
SOT666
SOT363
SOT457
每个器件
P
合计
总功耗
SOT666
SOT363
SOT457
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
条件
发射极开路
开基
集电极开路
单脉冲;
t
p
≤
1毫秒
T
AMB
≤
25
°C
[1][2]
[1]
[1]
民
-
-
-
-
-
最大
50
45
5
100
200
单位
V
V
V
mA
mA
每个晶体管
-
-
-
200
200
250
mW
mW
mW
T
AMB
≤
25
°C
[1][2]
[1]
[1]
-
-
-
-
65
65
300
300
380
150
+150
+150
mW
mW
mW
°C
°C
°C
结温
环境温度
储存温度
设备安装在一FR4印刷电路板（PCB） ，单面铜，镀锡和标准
足迹。
再溢流焊接是唯一推荐的焊接方法。
6.热特性
表7中。
符号
R
号（j -a）的
热特性
参数
从热阻
结到环境
SOT666
SOT363
SOT457
条件
在自由空气
[1][2]
[1]
[1]
民
典型值
最大
单位
每个晶体管
-
-
-
-
-
-
625
625
500
K / W
K / W
K / W
BCM857BV_BS_DS_6
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师06 - 2009年8月28日
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