恩智浦半导体
BCM857BV/BS/DS
PNP / PNP匹配的双晶体管
表8 。
特征
- 续
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定编
符号
f
T
参数
跃迁频率
条件
V
CE
=
5
V;
I
C
=
10
毫安;
F = 100 MHz的
V
CE
=
5
V;
I
C
=
0.2
毫安;
R
S
= 2 k;
F = 10Hz到
15.7千赫
V
CE
=
5
V;
I
C
=
0.2
毫安;
R
S
= 2 k;
F = 1千赫
B = 200赫兹
每个器件
h
FE1
/h
FE2
V
BE1
V
BE2
h
FE
匹配
V
BE
匹配
V
CE
=
5
V;
I
C
=
2
mA
V
CE
=
5
V;
I
C
=
2
mA
[3]
民
100
典型值
175
最大
-
单位
兆赫
NF
噪音科幻gure
-
1.6
-
dB
-
3.1
-
dB
0.9
-
1
-
-
2
mV
[4]
[1]
[2]
[3]
[4]
V
BESAT
降低了约1.7毫伏/ K随温度的升高。
V
BE
降低了约2毫伏/ K随温度的升高。
取两个值中的较小的分子。
所述两个值中的较小的一个从较大的值中减去。
BCM857BV_BS_DS_6
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产品数据表
牧师06 - 2009年8月28日
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