SUP/SUB85N02-03
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
1.8
1.5
r
DS （ ON）
导通电阻（
W)
（归一化）
1.2
0.9
0.6
0.3
0.0
50
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 30 A
I
S
源电流（ A）
100
源极 - 漏极二极管正向电压
T
J
= 150_C
10
T
J
= 25_C
25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
源极到漏极电压（V ）
T
J
结温（ ° C）
漏源击穿电压
- 结温
30
I
D
= 2毫安
28
V
（ BR ） DSS
(V)
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.016
0.020
导通电阻与栅极至源极电压
I
D
= 30 A
0.012
26
0.008
24
0.004
22
50
25
0
25
50
75
100
125
150
0.000
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
T
J
结温（ ° C）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
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4
文档编号： 71421
S- 32619 -REV 。 B， 29日-12月03
