SUP/SUB85N02-03
Vishay Siliconix公司
MOSFET规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
GS
= 0 V，I
D
= 2毫安
V
DS
= V
GS
, I
DS
= 2毫安
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"8
V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= 5 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 30 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 30 A，T
J
= 125_C
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 30 A，T
J
= 175_C
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 30 A
V
GS
= 1.8 V，I
D
= 30 A
正向跨导
a
g
fs
V
DS
= 5 V，I
D
= 30 A
30
0.0027
0.003
120
0.0025
0.003
0.0042
0.005
0.0034
0.0038
S
W
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
20
0.45
"100
1
250
V
nA
mA
A
动态
b
输入电容
输出电容
Reversen传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 10 V ，R
L
= 0.12
W
I
D
]
85 A，V
根
= 4.5 V ，R
g
= 2.5
W
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 85 A
,
,
V
GS
= 0 V, V
DS
= 20 V ， F = 1兆赫
21250
2350
1520
140
18
24
20
200
450
320
30
300
670
480
ns
200
nC
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
b
脉冲电流
正向电压
a
反向恢复时间
I
SM
V
SD
t
rr
I
F
= 100 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 50 A， di / dt的= 100 A / MS
1.2
75
240
1.5
150
A
V
ns
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。独立的工作温度。
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2
文档编号： 71421
S- 32619 -REV 。 B， 29日-12月03
