SUP/SUB85N02-03
Vishay Siliconix公司
N通道20 -V （D -S ） 175_C MOSFET
产品概述
V
（ BR ） DSS
(V)
20
r
DS （ ON）
(W)
0.003 @ V
GS
= 4.5 V
0.0034 @ V
GS
= 2.5 V
0.0038 @ V
GS
= 1.8 V
I
D
(A)
a
85
85
85
TO-220AB
TO-263
D
G
的漏极连接到选项卡
G
摹 S
顶视图
订货信息：
SUP85N02-03 -E3 （无铅）
S
S
N沟道MOSFET
顶视图
订货信息：
SUB85N02-03 -E3 （无铅）
绝对最大额定值（T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 175_C)
a
漏电流脉冲
雪崩电流
重复性雪崩能量
b
功耗
a
工作结存储温度范围
L = 0.1 mH的
T
C
= 25_C
T
C
= 25_C
T
C
= 100_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
极限
20
"8
85
85
240
30
45
250
55
175
单位
V
A
mJ
W
_C
热电阻额定值
参数
印刷电路板安装（ TO- 263 ）
c
结到环境
J
TI T A双向吨
结到外壳
注意事项：
一。看到SOA曲线电压降额。
B 。占空比
v
1%.
。当安装在1 “方形板（ FR-4材料） 。
文档编号： 71421
S- 32619 -REV 。 B， 29日-12月03
www.vishay.com
自由空气（ TO- 220AB ）
R
thJA
R
thJC
符号
极限
40
62.5
0.6
单位
° C / W
1
