SUP/SUB85N02-03
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
250
V
GS
= 4.5直通2 V
200
I
D
漏电流（ A）
I
D
漏电流（ A）
200
125_C
150
250
T
C
=
55_C
25_C
传输特性
150
1.5 V
100
100
50
1, 0.5 V
0
0
2
4
6
8
10
V
DS
漏极至源极电压（ V）
50
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
跨
500
T
C
=
55_C
g
fs
跨导（S ）
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
400
25_C
300
125_C
200
0.004
0.005
导通电阻与漏电流
V
GS
= 1.8 V
0.003
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 2.5 V
0.002
100
0.001
0
0
20
40
60
80
100
120
0.000
0
20
40
60
80
100
120
I
D
漏电流（ A）
I
D
漏电流（ A）
30000
电容
8
V
DS
= 10 V
I
D
= 30 A
栅极电荷
24000
C
电容（pF）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
C
国际空间站
6
18000
4
12000
6000
C
RSS
0
4
8
2
C
OSS
0
0
12
16
20
0
50
100
150
200
250
V
DS
漏极至源极电压（ V）
Q
g
总栅极电荷（ NC）
www.vishay.com
文档编号： 71421
S- 32619 -REV 。 B， 29日-12月03
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