CY14B108K ， CY14B108M
自动存储/上电RECALL
参数
描述
20纳秒
民
最大
20
8
20
2.65
150
1.9
5
500
图12.自动存储或通电RECALL
[25]
V
CC
25纳秒
民
最大
20
8
25
2.65
150
1.9
5
500
150
民
45纳秒
最大
20
8
25
2.65
1.9
5
500
单位
ms
ms
ns
V
μs
V
μs
ns
t
HRECALL [ 22 ]
上电RECALL时间
t
店[ 23 ]
t
DELAY [ 24 ]
V
开关
V
HDIS[12]
t
LZHSB[12]
t
HHHD[12]
STORE周期的持续时间
时间可以完成SRAM写周期
低电压触发电平
HSB禁止输出电压
HSB输出活动时间
HSB高活性的时间
t
VCCRISE[12]
V
CC
上升时间
开关波形
V
开关
V
HDIS
V
VCCRISE
t
HHHD
HSB OUT
t
LZHSB
记
23
t
商店
t
HHHD
t
延迟
t
LZHSB
记
23
t
商店
记
26
自动存储
电源 -
UP
召回
阅读&写
抑制
(
出线RWi
)
t
延迟
t
HRECALL
t
HRECALL
上电
召回
阅读&写
棕色
OUT
自动存储
上电
召回
阅读&写
动力
下
自动存储
笔记
22. t
HRECALL
开始从时间V
CC
上升超过V
开关。
23.如果一个SRAM写入并没有从上次的非易失性周期发生，没有自动存储或五金店发生。
24.在硬件存储和自动存储开始，SRAM写操作继续启用时间t
延迟
.
存储，调用时25读取和写入周期被忽略，而V
CC
低于V
开关。
26. HSB拉高到V
CC
只能通过内部100千
Ω
电阻， HSB驱动器被禁止。
文件编号： 001-47378修订版* B
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