CY14B108K ， CY14B108M
开关波形
图10. SRAM写周期2 ： CE受控
[3, 18, 19, 20]
t
WC
地址
t
SA
CE
t
BW
BHE ， BLE
t
PWE
WE
t
SD
数据输入
数据输出
输入数据有效
高阻抗
t
HD
地址有效
t
SCE
t
HA
图11. SRAM写周期3 ： BHE和BLE控制
[5, 18, 19, 20, 21]
（不适用于RTC寄存器写入）
t
WC
地址
t
SCE
CE
t
SA
BHE ， BLE
t
AW
t
PWE
WE
t
SD
数据输入
数据输出
t
HD
输入数据有效
高阻抗
t
BW
t
HA
地址有效
记
21.只有CE和WE控制写入RTC寄存器是允许的。 BLE引脚必须保持低电平之前， CE或WE引脚变为低电平为写入RTC寄存器。
文件编号： 001-47378修订版* B
第20页29
[+ ]反馈
