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HYB39S256400/800/160DT(L)/DC(L)
的256Mbit同步DRAM
针
DQM
LDQM
UDQM
TYPE
输入
信号极性功能
脉冲
活跃
高
数据输入/输出的掩码会将DQ缓冲区中
高阻抗状态采样为高电平时。在读模式下，
DQM有两个时钟周期的等待时间，并且控制
输出缓冲器等的输出使能。在写模式， DQM
具有零延迟，并作为由字掩模
允许要写入输入数据，如果它是低，但块的
写操作，如果DQM高。
一个DQM输入存在于x4和x8的SDRAM ， LDQM
和UDQM控制在x16的下部和上部的字节
SDRAM芯片。
电源和地的输入缓冲器和核心逻辑。
为输出缓冲器，以隔离的电源和接地
提供更好的噪声抑制能力。
V
DD
V
SS
V
DDQ
V
SSQ
供应 -
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在网络连接霓虹灯技术
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2002-04-23
