位置：首页 > IC型号导航 > 首字符H型号页 > 首字符H的型号第0页 > HYB39S256160DC-7.5 > HYB39S256160DC-7.5 PDF资料 > HYB39S256160DC-7.5 PDF资料1第14页
HYB39S256400/800/160DT(L)/DC(L)
的256Mbit同步DRAM
该芯片具有一个片上定时器和自刷新模式可用。该模式恢复
RAS，CAS和CKE后字线低， WE为高时的时钟定时。所有外部控制的
信号包括时钟被禁止。回到CKE高使时钟和启动
刷新退出操作。退出命令后，至少一个tRC的延迟之前的任何访问所需
命令。
DQM功能
DQM有两个功能用于数据I / O读操作和写操作。在读操作期间，当它变成
“高” ，在一个时钟定时，数据输出被禁止并成为高阻抗后两个时钟延迟
（ DQM数据禁用延迟吨
DQZ
） 。它还提供了一个数据屏蔽功能写入。当DQM是
激活后，在下一时钟的写操作被禁止（ DQM的写屏蔽延迟吨
DQW
=零
时钟） 。
挂起模式
在正常的访问模式， CKE保持高电平使能时钟。当CKE是低电平时，冻结
内部时钟和延伸数据读取和写入操作。一个时钟延迟所需的模式
出入境（时钟暂停延迟
t
CSL
).
掉电
为了降低待机功耗，省电模式是可用的。所有银行
必须进行预充电和必要的预充电延迟（ trp）启动对SDRAM之前必须发生可
进入掉电模式。一旦掉电模式是通过保持CKE低，所有的开始
除了CLK和CKE接收电路选通关。在掉电模式下不执行任何
刷新操作，因此该设备不能停留在掉电模式长于刷新
该装置的周期（ TREF） 。退出该模式是通过采取CKE “高”执行。一个时钟延迟
需要掉电模式的进入和退出。
自动预充电
有两种方法可用于预充电的SDRAM 。在自动预充电模式，中科院
定时接受一个额外的地址， CA10 ，以确定芯片是否经过了恢复或不
操作。如果CA10为高电平时读命令发出后，
阅读自动预充电
功能被启动。如果CA10为高电平时发出写入命令，
与自动写
预充电
功能被启动。 SDRAM的自动进入预充操作的时间
延迟等于t
WR
在最后一个数据之后（ “写恢复时间”）。
与自动预充电脉冲串操作只能由一阵开始另一家银行被打断。它
不能由预充电或突发停止命令被中断。
预充电命令
酒店还设有一个单独的预充电命令。当RAS和WE低， CAS是
在高时钟计时，它触发了预充电操作。三个地址位， BA0 ， BA1和A10是
作为示于下列表来定义组。预充电命令可判处1
最后的数据出来CAS前的最后数据出来CAS延时= 2和两个时钟信号的时钟前
延时= 3写入操作需要的时间延迟TWR从上次（ “写恢复时间” ）的2个时钟最低
数据输出到应用的预充电命令。
在网络连接霓虹灯技术
14
2002-04-23
