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恒忆嵌入式闪存（ J3 V 。 D）
7.3
编程，擦除，块锁规格
表12 ：配置性能
#
W16
W16
t
WHQV3
t
EHQV3
符号
参数
写缓冲器字节编程时间
（时间计划32字节/ 16个字）
字节编程时间（使用字/字节编程命令）
块编程时间（使用写入缓冲区命令）
W16
W16
W16
W16
W16
WY
t
WHQV4
t
EHQV4
t
WHQV5
t
EHQV5
t
WHQV6
t
EHQV6
t
WHRH1
t
EHRH1
t
WHRH
t
EHRH
t
STS
块擦除时间
设置锁定位时
清除块锁定位时间
计划暂停等待时间阅读
擦除挂起延时时间阅读
STS脉冲宽度低电平时间
典型值
128
40
0.53
1.0
50
0.5
15
15
500
最大
(8)
654
175
2.4
4.0
60
0.70
20
20
单位
s
s
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
s
美国证券交易委员会
s
s
ns
笔记
1,2,3,4,5,6,7
1,2,3,4
1,2,3,4
1,2,3,4
1,2,3,4,9
1,2,3,4,9
1,2,3,9
1,2,3,9
1
注意事项：
1.
在T测得的典型值
A
= +25 ° C和额定电压。承担相应的锁位不
设置的。如有变更，根据设备特性。
2.
这些性能数字适用于所有版本的速度。
3.
采样而不是100 ％测试。
4.
不包括系统级开销。
5.
这些值是有效的，当缓冲器满时，和起始地址的是， 32个字节的边界上对齐。
6.
有效的每个字节编程时间（T
WHQV1
, t
EHQV1
）是微秒/字节（典型值） 。
7.
有效的每个字编程时间（T
WHQV2
, t
EHQV2
）为8μs /字（典型值） 。
8.
最高值是在最糟糕的情况下，数据模式和V测
CC
经过10万次的角落
（特别注明的除外） 。
9.
最大值表示在25℃ / -40 ℃。
7.4
复位规格
图16 ： AC波形的复位操作
STS （注册商标）
P1
RP ＃ （ P）
P3
VCC
注意：
STS显示在默认模式（ RY / BY ＃ ）
P2
2007年11月
308551-05
数据表
29
