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恒忆嵌入式闪存（ J3 V 。 D）
图11 ：单字异步读取波形
R1
R2
地址[ A]
R3
CEX [ E]
R9
OE ＃ [G]
WE＃ [W]
R4
R16
R7
R6
DATA [ D / Q]
R11
BYTE ＃ [F]
R5
RP ＃ [P]
注意事项：
1.
CE
X
低被定义为CE0 ， CE1 ， CE2或的最后边，使设备。 CE
X
高被限定在第一边缘
CE0 ， CE1 ， CE2或禁用该设备。
2.
当读取闪存阵列速度更快吨
GLQV
（ R16 ）适用。对于非阵列读取， R4适用（即状态寄存器读取，
查询读取或设备标识符读取） 。
R8
R10
R12
R13
图12 ： 4字异步页面模式读取波形
R1
R2
A [ MAX ： 3 ] [ A]
A[2:1] [A]
R3
CEX [ E]
R4
OE ＃ [G]
WE＃ [W]
R6
R7
D [ 15 ： 0 ] [ Q]
R5
RP ＃ [P]
注意：
CE
X
低被定义为CE0 ， CE1 ， CE2或的最后边，使设备。 CE
X
高被限定在第一边缘
CE0 ， CE1 ， CE2或禁用该设备。
00
01
10
11
R10
R15
1
2
3
4
R8
R10
R9
2007年11月
308551-05
数据表
25
