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恒忆嵌入式闪存（ J3 V 。 D）
表10 ：读操作（表2 2 ）
异步规格V
CC
= 2.7 V–3.6 V
(3)
和
V
CCQ
= 2.7 V–3.6 V
(3)
#
符号
参数
密度
32兆位
R2
t
AVQV
地址输出延迟
64兆位
128兆位
256兆
32兆位
R3
t
ELQV
CE
X
到输出延迟
64兆位
128兆位
256兆
R4
t
GLQV
OE ＃到非数组输出延迟
32兆位
R5
t
PHQV
RP ＃高到输出延迟
64兆位
128兆位
256兆
R6
R7
R8
R9
R10
R11
R12
R13
R14
R15
R16
t
ELQX
t
GLQX
t
EHQZ
t
GHQZ
t
OH
t
ELFL /
t
ELFH
t
FLQV /
t
FHQV
t
FLQZ
t
EHEL
t
APA
t
GLQV
CE
X
到输出中低Z
OE ＃到输出中低Z
CE
X
高到输出中高Z
OE ＃高到输出中高Z
从地址，CE输出保持
X
或OE ＃
变化，以先到为准科幻RST
CE
X
低BYTE ＃高或低
BYTE ＃到输出延迟
BYTE ＃到输出中高Z
CEX高至低CEX
页地址访问时间
OE ＃为阵列输出延迟
0
0
25
15
民
最大
75
75
75
95
75
75
75
95
25
150
180
210
210
ns
ns
ns
ns
ns
10
1
1
ns
s
s
ns
25
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
笔记
1,2
1,2
1,2
1,2
1,2
1,2
1,2
1,2
1,2,4
1,2
1,2
1,2
1,2
1,2,5
1,2,5
1,2,5
1,2,5
1,2,5
1,2,5
1,2
1,2,5
1,2,5
5, 6
1,2,4
所有
0
所有
所有
0
注意事项：
1.
CE
X
低被定义为CE0 ， CE1 ， CE2的第一边缘或CE＃ ，使设备。 CE
X
高被限定在第一边缘
的CE0 ， CE1 ， CE2或CE ＃禁用设备。
2.
看到AC输入/输出参考波形的最大允许输入转换率。
3.
OE ＃可能会延迟到t
ELQV
-t
GLQV
CE0 ， CE1 ， CE2或CE ＃的第一条边，使设备无影响后，
对T
ELQV
.
4.
SEE
图17 ， “AC输入/输出参考波形”第30页
和
图18 ， “瞬间
第30页上的等效测试负载电路“
用于测试的特点。
5.
采样，未经100％测试。
6.
对于配置为标准字/字节读模式下的设备， R15 （T
APA
）将等于R2 （T
AVQV
).
数据表
24
2007年11月
308551-05
