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恒忆嵌入式闪存（ J3 V 。 D）
6.0
6.1
表7：
电气特性
DC电流规格
直流电流特性
V
CCQ
V
CC
2.7 - 3.6V
2.7 - 3.6V
典型值
最大
±1
±10
50
100
0.71
1.42
50
15
4-Word
页面
24
29
mA
120
240
2
4
120
20
mA
μA
mA
单位
μA
μA
μA
V
CC
= V
CC
最大; V
CCQ
= V
CCQ
最大
V
IN
= V
CCQ
或V
SS
V
CC
= V
CC
最大; V
CCQ
= V
CCQ
最大
V
IN
= V
CCQ
或V
SS
CMOS输入，V
CC
= V
CC
最大; VCCQ =
VccqMax
设备被禁用RP ＃ = V
CCQ
± 0.2 V
TTL输入，V
CC
= V
CC
最大，
VCCQ = VccqMax
设备被禁用， RP ＃ = V
IH
RP ＃ = GND ± 0.2 V，I
OUT
（STS ）= 0毫安
CMOS输入，V
CC
= V
CC
马克斯，V
CCQ
= V
CCQ
最大
设备启用F = 5 MHz时，我
OUT
= 0毫安
CMOS输入，V
CC
= V
CC
马克斯，V
CCQ
= V
CCQ
最大
设备启用F = 33 MHz时，我
OUT
= 0毫安
CMOS输入，V
CC
= V
CC
马克斯，V
CCQ
= V
CCQ
使用最多的标准8字的页面模式
读取。
设备启用F = 5 MHz时，我
OUT
= 0毫安
CMOS输入，V
CC
= V
CC
马克斯，V
CCQ
= V
CCQ
使用最多的标准8字的页面模式
读取。
设备启用F = 33 MHz时，我
OUT
= 0毫安
CMOS输入，V
笔
= V
CC
TTL输入，V
笔
= V
CC
CMOS输入，V
笔
= V
CC
TTL输入，V
笔
= V
CC
1,4
1,3
1
1
测试条件
笔记
符号
I
LI
I
LO
参数
输入和V
笔
负载电流
输出漏电流
32 ，64， 128兆比特
256兆
I
CCS
V
CC
待机电流
32 ，64， 128兆比特
256兆
1,2,3
I
CCD
V
CC
掉电电流
V
CC
I
CCR
页面模式读取电流
10
8字的页面
30
15
mA
54
mA
I
CCW
V
CC
程序或设置
锁定位电流
V
CC
块擦除或
清除块锁定位
当前
V
CC
节目
暂停或阻止
擦除挂起
当前
35
40
35
40
60
70
70
80
mA
mA
mA
mA
I
CCE
1,4
I
CCWS
I
CCES
10
mA
设备启用
1,5
注意事项：
1.
所有电流都在RMS中，除非另有说明。这些电流适用于所有版本的产品（包装和
速度） 。联系恒忆的应用支持热线或当地销售办事处关于典型的信息
特定连接的阳离子。
2.
包括STS 。
3.
CMOS输入，要么是V
CC
± 0.2 V或GND ± 0.2 V. TTL输入，要么是V
IL
或V
IH
.
4.
采样，未经100％测试。
5.
I
CCWS
我
CCES
指定与所选择的设备。如果设备被读出或写入，而在擦除暂停
模式下，该器件的电流消耗是我
CCR
我
CCWS
.
2007年11月
308551-05
数据表
21
