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恒忆嵌入式闪存（ J3 V 。 D）
崔不占用可寻址的内存位置。这是写在设备
启用和WE＃有效。所需要的地址和数据执行的命令是
锁存WE＃上升沿或CE0 ， CE1 ， CE2或那的第一个边缘禁用
该设备（见
表15第31页） 。
标准的微处理器写定时被使用。
8.3
待机
CE0 ， CE1 ， CE2和可禁用该设备（见
31页的表15 ）
并将其放置在
待机模式。这种操纵CEX的大幅降低设备功耗
消费。 D [ 15：0]输出被放置在独立的一高阻抗状态
OE ＃ 。如果在块擦除，编程或锁定位配置， WSM取消
继续发挥作用，并消耗有功功率，直到操作完成。
8.3.1
复位/掉电
RP ＃在V
IL
启动复位/掉电模式。
在读模式， RP ＃ - 低取消选择内存，并将输出驱动器在高
阻抗状态，并关闭大量的内部电路。 RP ＃必须保持为低电平
最小的t
PLPH
。时间t
PHQV
返回从复位模式，直到最初之后需要
存储器存取的输出是有效的。此唤醒间隔后，在正常操作是
恢复。崔复位到读阵列模式和状态寄存器设置为0080H 。
在块擦除，编程，或锁定位配置模式， RP ＃ - 低将中止
操作。在默认模式下， STS转换低，仍然是低的最大时间
的t
PLPH
+ t
PHRH
直到复位操作完成。存储器的内容被修改
不再有效;该数据可以经过一个程序或部分被部分地损坏
擦除或锁定位配置后改变。时间t
PHWL
之后需要RP ＃去
逻辑高电平（V
IH
）另一个命令之前可以被写入。
对于任何自动化装置，它断言RP ＃在系统复位是非常重要的。当
系统自带了复位，预计从闪存读取。自动化
快闪记忆体提供状态信息在块擦除访问的时候，程序，
或锁定位配置模式。如果出现不带闪存复位CPU复位，
可以不发生正确的初始化，因为闪速存储器可以提供状态
信息，而不是阵列中的数据。恒忆闪存允许适当的初始化
以下通过使用反相＃输入的系统复位。在本申请中，反相＃是
用相同的RESET＃信号来复位系统的CPU进行控制。
8.4
设备命令
当V
笔
电压
≤
V
PENLK
只有从状态寄存器， CFI读取操作，
识别码，或块被使能。配售V
金边
在V
笔
另外使块
擦除，编程和锁定位的配置操作。设备操作被选择
通过写入的特定命令，以命令用户界面（CUI ） 。崔不
占据了可寻址的内存位置。它是通过何种机制闪光
装置进行控制。
一个命令序列中发出两个连续的写周期 - 一个安装程序命令
其次是确认命令。但是，某些命令都是单周期
命令只包含一个安装命令。一般情况下，命令，改变
闪光装置的内容，如编程或擦除，需要至少2个写周期
谨防意外更改闪存设备。 Flash命令分为两种
类别：基本命令和扩展命令。基本命令是
所有恒忆闪存设备的认可，并用于执行常见的闪存
操作，如选择读模式，编程阵列，或擦除块。
扩展命令取决于各产品;它们被用来执行附加的
等功能的软件模块锁定。
表18
描述了所有适用的命令上
恒忆嵌入式闪存（ J3诉D）。
数据表
34
2007年11月
308551-05
