位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第0页 > MPC8313CZQAFDB > MPC8313CZQAFDB PDF资料 > MPC8313CZQAFDB PDF资料2第16页
DDR和DDR2 SDRAM
表16
为MV的电流消耗特性
REF
.
表16.电流消耗特性MV
REF
参数/条件
电流消耗MV
REF
符号
I
MVREF
民
—
最大
500
单位
μA
记
1
注意：
1. MV稳压器
REF
必须能提供高达500
μA
电流。
6.2
DDR和DDR2 SDRAM AC电气特性
本节提供了交流电气特性的DDR SDRAM接口。
6.2.1
DDR和DDR2 SDRAM输入AC时序规范
表17. DDR2 SDRAM输入AC时序规格为1.8 V接口
表17
提供输入AC时序规格为DDR2 SDRAM时
GV
DD
（典型值） =
1.8 V.
在与GV推荐工作条件
DD
为1.8 ±5％。
参数
AC输入低电压
交流输入高电压
符号
V
IL
V
IH
民
—
MV
REF
+ 0.25
最大
MV
REF
– 0.25
—
单位
V
V
笔记
—
—
表18
提供输入AC时序规格为DDR SDRAM时， GV
DD
（典型值） = 2.5 V.
表18. DDR SDRAM输入AC时序规格为2.5 V接口
在与GV推荐工作条件
DD
为2.5 ±5％。
参数
AC输入低电压
交流输入高电压
符号
V
IL
V
IH
民
—
MV
REF
+ 0.31
最大
MV
REF
– 0.31
—
单位
V
V
笔记
—
—
表19
提供输入AC时序规格为DDR2 SDRAM接口。
表19. DDR和DDR2 SDRAM输入AC时序规范
在推荐的工作条件。与GV
DD
为2.5 ±5％。
参数
控制器歪斜MDQS - MDQ
333兆赫
266兆赫
符号
t
CISKEW
—
—
民
—
–750
–750
最大
—
750
750
单位
ps
—
—
笔记
1, 2
—
—
注意事项：
1. t
CISKEW
代表歪斜的MDQS [n]和任何相应的位之间所消耗的控制器的总量是
捕获与MDQS [n]的。这应该减去的总时序预算。
2.歪斜的，可以从MDQS容忍到相应的MDQ信号量称为吨
DISKEW
。这可以是
由以下公式确定：吨
DISKEW
= ± （T / 4 - ABS （T
CISKEW
）），其中T是时钟周期和腹肌（叔
CISKEW
）是
吨的绝对值
CISKEW
.
MPC8313E的PowerQUICC
II Pro处理器硬件规格，版本2.1
16
飞思卡尔半导体公司
