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LH28F160S5-L/S5H-L
表2.1总线的运行（ BYTE ＃ = V
IH
)
模式
读
输出禁用
待机
深度掉电
读取识别
代码
询问
写
记
1, 2, 3, 9
3
3
4
9
9
3, 7, 8, 9
RP ＃
V
IH
V
IH
V
IH
V
IL
V
IH
V
IH
V
IH
CE
0
#
V
IL
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
X
V
IL
V
IL
V
IL
CE
1
#
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
X
V
IL
V
IL
V
IL
OE ＃
V
IL
V
IH
X
X
V
IL
V
IL
V
IH
WE＃
V
IH
V
IH
X
X
V
IH
V
IH
V
IL
地址
X
X
X
X
SEE
图。 2
SEE
表
图6至10
X
V
PP
X
X
X
X
X
X
X
DQ
0-15
D
OUT
高Z
高Z
高Z
STS
X
X
X
高Z
（注5 ）高Z
（注6 ）高Z
D
IN
X
表2.2总线的运行（ BYTE ＃ = V
IL
)
模式
读
输出禁用
待机
深度掉电
读取识别
代码
询问
写
记
1, 2, 3, 9
3
3
4
9
9
3, 7, 8, 9
RP ＃
V
IH
V
IH
V
IH
V
IL
V
IH
V
IH
V
IH
CE
0
#
V
IL
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
X
V
IL
V
IL
V
IL
CE
1
#
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
X
V
IL
V
IL
V
IL
OE ＃
V
IL
V
IH
X
X
V
IL
V
IL
V
IH
4.
5.
6.
7.
WE＃
V
IH
V
IH
X
X
V
IH
V
IH
V
IL
地址
X
X
X
X
SEE
图。 2
SEE
表
图6至10
X
V
PP
X
X
X
X
X
X
X
DQ
0-7
D
OUT
高Z
高Z
高Z
STS
X
X
X
高Z
（注5 ）高Z
（注6 ）高Z
D
IN
X
注意事项：
1.
请参阅
第6.2.3节
＆ QUOT ;
DC特性
＆ QUOT ;
.
当V
PP
≤
V
PPLK
，存储器的内容可以被读取，但
不改变。
X可以是V
IL
或V
IH
用于控制管脚和地址，以及
V
PPLK
或V
PPH1
对于V
PP
。看
第6.2.3节
＆ QUOT ;
DC
特征
＆ QUOT ;
对于V
PPLK
和V
PPH1
电压。
STS是V
OL
（如果配置为RY / BY ＃模式）时，
WSM正在执行内部块擦除，整片擦除，
（多）字/字节写入或块锁定位配置
算法。当WSM是不是在这浮动
忙，块擦除暂停与模式（多）
字/字节写不活跃， （多）字/字节写入暂停
模式或深度掉电模式。
RP ＃在GND ± 0.2 V ，确保最低的深加电
断电流。
SEE
第4.2节
对于读取识别码数据。
SEE
第4.5节
查询数据。
命令将包括块擦除，整片擦除，
（多）字/字节写入或块锁定位配置是
可靠地执行时， V
PP =
V
PPH1
和V
CC =
V
CC1/2
.
请参阅
表3
为有效D
IN
在写操作。
不要使用这两个时间OE ＃和WE ＃为V
IL
.
2.
3.
8.
9.
- 11 -
