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LH28F160S5-L/S5H-L
块擦除，整片擦除， （多）字/字节写
或块锁定位配置。 STS高Z表示
该WSM是准备好一个新的指令，块
擦除暂停和（多）字/字节写的
不活跃， （多）字/字节写入暂停或
该设备在深度掉电模式。另
3复用配置均脉冲模式
使用作为一个系统中断。
存取时间为70纳秒（T
AVQV
）在V
CC
供应
4.75至5.25 V在整个温度范围内的电压
范围为0 + 70 ° C（ LH28F160S5 -L ） / - 40 + 85°C
（ LH28F160S5H -L） 。在4.5 5.5 V V
CC
时，接入
时间为80ns / 100纳秒（ LH28F160S5 - L70 / S5 -L10 ）或
90纳秒/ 100纳秒（ LH28F160S5H - L70 / S5H -L10 ） 。
自动省电（ APS ）功能
实质上降低有功电流时的
设备处于静态模式（地址不切换） 。
在APS模式，典型的我
CCR
电流在1mA
5 V V
CC
.
当CE
0
＃或CE
1
＃和RP ＃引脚在
V
CC
中，我
CC
CMOS待机模式下被启用。
当RP ＃引脚为GND ，深度掉电
模式被激活，最大限度地减少权力
消费和在提供写保护
复位。复位时间（t
PHQV
）从RP ＃所需
切换到高输出是有效的。同样地，所述
设备具有唤醒时间（t
PHEL
）从RP ＃ - 高至
写入CUI的认可。随着RP ＃在
GND时， WSM复位，状态寄存器
清除。
1FFFFF
1F0000
1EFFFF
1E0000
1DFFFF
1D0000
1CFFFF
1C0000
1BFFFF
1B0000
1AFFFF
1A0000
19FFFF
190000
18FFFF
180000
17FFFF
170000
16FFFF
160000
15FFFF
150000
14FFFF
140000
13FFFF
130000
12FFFF
120000
11FFFF
110000
10FFFF
100000
0FFFFF
0F0000
0EFFFF
0E0000
0DFFFF
0D0000
0CFFFF
0C0000
0BFFFF
0B0000
0AFFFF
0A0000
09FFFF
090000
08FFFF
080000
07FFFF
070000
06FFFF
060000
05FFFF
050000
04FFFF
040000
03FFFF
030000
02FFFF
020000
01FFFF
010000
00FFFF
000000
64千字节的块
64千字节的块
64千字节的块
64千字节的块
64千字节的块
64千字节的块
64千字节的块
64千字节的块
64千字节的块
64千字节的块
64千字节的块
64千字节的块
64千字节的块
64千字节的块
64千字节的块
64千字节的块
64千字节的块
64千字节的块
64千字节的块
64千字节的块
64千字节的块
64千字节的块
64千字节的块
64千字节的块
64千字节的块
64千字节的块
64千字节的块
64千字节的块
64千字节的块
64千字节的块
64千字节的块
64千字节的块
31
30
29
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27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
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13
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10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
图。 1内存映射
-7-
