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LH28F160S5-L/S5H-L
1引言
该数据表包含LH28F160S5 -L / S5H -L
规格。部1提供的闪速存储器
概述。第2， 3 ，4和5描述的
记忆的组织和功能。第6节
涵盖电气规格。 LH28F160S5 -L /
S5H -L闪存的文件还包括
这是在引用的订购信息
第7节。
字/字节写和块锁定位配置
操作。
块擦除操作会擦除设备中的一个
64千字节的块通常在0.34秒（ 5 V
V
CC
, 5 V V
PP
）独立于其他块。每
块可独立擦除100万次
（每台设备320万的块擦除） 。块擦除
暂停模式允许系统软件暂停
块擦除从读取数据，或者将数据写入任何
其他区块。
一个字/字节写在字节为单位进行
通常在9.24微秒（ 5 V V
CC
, 5 V V
PP
） 。多
字/字节写有高速的写入性能
2微秒/字节（ 5 V V
CC
, 5 V V
PP
） 。 （多）字/字节
写入暂停模式时，系统读取
从数据或写数据到其他闪存
排列位置。
个别块锁定使用位的组合
和WP ＃ ， 32块锁定位，锁定和
解锁块。块锁定位闸块擦除，全
芯片擦除和（多）字/字节写操作。
块锁定位配置操作（设置座
锁定位和清除块锁定位指令）集
和清除块锁定位。
状态寄存器指示时， WSM的块
擦除，整片擦除， （多）字/字节写或
块锁定位配置操作完成。
在STS输出提供了一个额外的指标
通过提供两种硬件信号WSM活动
的状态（相对于软件轮询）和状态
屏蔽（中断背景块屏蔽
擦除，例如） 。使用STS状态轮询
既减少了CPU开销和系统电源
消费。 STS引脚可以被配置为
使用配置命令的不同状态。
在STS引脚默认为RY / BY ＃操作。当
低， STS表示WSM正在执行
1.1
产品概述
该LH28F160S5 -L / S5H -L是高性能
16 M位智能5快闪记忆体编排
2 MB X 8/1 MB x 16位的2 MB的数据排列
在32 64千字节的块，分别是
可擦除，可锁定和解锁在系统。该
存储器映射图中示出
Fig.1.
智能5技术提供V的选择
CC
和
V
PP
组合，如图
表1
满足
系统的性能和功耗的期望。 V
PP
在5 V省去了一个单独的12伏
变频器，而V
PP
= 5 V最大化擦除和
写性能。除了灵活的擦除和
编程电压，专用V
PP
销给
完整的数据保护时， V
PP
≤
V
PPLK
.
表1 V
CC
和V
PP
电压组合
提供的智能5技术
V
CC
电压
5V
V
PP
电压
5V
内部V
CC
和V
PP
检测电路自动
matically配置该设备优化的读
操作和写操作。
A命令的用户界面（ CUI）作为
系统处理器之间的接口
该装置的内部操作。一个有效的命令
顺序写入崔启动装置
自动化。内部写状态机（ WSM ）
自动执行的算法和时序
必要的块擦除，整片擦除， （多）
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