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LH28F160S5-L/S5H-L
4.1
读阵列命令
注意：
1.
X选择特定的块的状态码被读取。看
图。 2
该设备标识符代码的存储器映射。
在初始器件上电和退出后
深度掉电模式下，器件默认
读阵列模式。也通过启动该操作
写读阵列命令。该装置
保持启用的读取，直到另一个命令
被写入。一旦内部WSM已经开始
块擦除，整片擦除， （多）字/字节写
或阻止锁定位配置，该设备将无法
认读阵列命令，直到WSM
完成其操作，除非是WSM
通过擦除暂停和（多）暂停
字/字节写入暂停命令。在读
阵列命令功能独立于V的
PP
电压和RP ＃必须是V
IH
.
4.3
读状态寄存器命令
4.2
阅读标识符代码命令
通过写发起的识别码操作
读标识符代码的命令。继
命令写入，读取地址周期显示
in
图。 2
检索的制造，装置，块
锁的配置和块擦除状态（见
表4
为识别码值） 。要终止
操作时，写另一个有效的命令。喜欢
读阵列命令，读取标识符代码
命令功能独立于V的
PP
电压和RP ＃必须是V
IH
。继读
识别代码的命令，下面的信息
可以改为：
表4标识符代码
CODE
地址
00000H
生产代码
00001H
00002H
器件代码
00003H
X0004H
（注1 ）
块状态代码
X0005H
（注1 ）
布洛克解锁
模块被锁定
最后擦除操作
成功完成
最后擦除操作做
未成功完成
=留作将来使用
状态寄存器可被读取，以确定何时
块擦除，整片擦除， （多）字/字节
写或块锁定位配置齐全，
是否已成功完成操作（见
表13.1 ） 。
它可以通过书面形式随时读取
读状态寄存器命令。书写后
这个命令，所有后续的读操作
从状态寄存器的输出数据，直到另一个
有效的命令写入。状态寄存器
内容被锁存， OE ＃下降沿或
CE＃ （无论是CE
0
＃或CE
1
＃ ） ，发生为准。 OE ＃
或CE ＃ （无论是CE
0
＃或CE
1
＃ ）必须切换到V
IH
前进一步读取，更新状态寄存器
锁存器。读状态寄存器命令
独立于V的功能
PP
电压。 RP ＃
必须是V
IH
.
在扩展状态寄存器可以读出
确定多字节写的可用性（见
表
13.2).
在扩展状态寄存器可以读出在
任何时候写的多字节写命令。
后写这个命令，所有后续的读
从扩展的状态的操作的输出数据
注册，直到另一个有效的命令写入。该
扩展状态寄存器的内容被锁存
在OE ＃或CE ＃下降沿（无论是CE
0
＃或
CE
1
＃ ） ，最后在读周期为准。
多字节写命令必须重新发
更新扩展状态寄存器的锁存器。
数据
B0
D0
4.4
DQ
0
= 0
DQ
0
= 1
DQ
1
= 0
DQ
1
= 1
DQ
2-7
清除状态寄存器命令
状态寄存器位SR.5 ， SR.4 ， SR.3和SR.1是
设为"1"s由WSM并只能通过复位
清除状态寄存器命令。这些位
显示各种故障条件（见
表13.1 ） 。
通过允许系统软件复位这些位，
若干操作（如累积擦除或
锁定多个块或写入多个字节
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