恩智浦半导体
PSMN1R7-30YL
N沟道30 V 1.7毫欧的LFPAK逻辑电平MOSFET
表6 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
Q
r
特征
- 续
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源 - 漏电压
反向恢复时间
恢复电荷
I
S
= 25 A; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C;
SEE
图20
I
S
= 20 A;的dI
S
/ DT = -100 A / μs的; V
GS
= 0 V;
V
DS
= 20 V
条件
V
DS
= 12 V ;
L
= 0.5
;
V
GS
= 4.5 V;
R
G（ EXT ）
= 4.7
民
-
-
-
-
-
-
-
典型值
46
72
76
34
0.78
45
56
最大
-
-
-
-
1.2
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
V
ns
nC
经测试， JEDEC标准适用。
源极 - 漏极二极管
300
I
D
4
(A)
10 3.6
250
3.4
200
3
150
2.8
100
2.6
50
2.4
2.2
0
2
4
6
V
GS
(V) = 3.2
003aac449
5
R
DSON
(mΩ)
4
003aac450
V
GS
(V) = 3.4
3
3.6
4
2
7
10
1
8
V
DS
(V)
10
0
50
100
150
200
I
D
(A)
250
0
图6 。
输出特性：漏极电流为
漏极 - 源极电压的函数;典型值
图7 。
漏极 - 源极导通电阻为一个函数
漏电流;典型值
PSMN1R7-30YL
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2010保留所有权利。
产品数据表
版本04 - 2010年4月20日
7 16
