恩智浦半导体
PSMN1R7-30YL
N沟道30 V 1.7毫欧的LFPAK逻辑电平MOSFET
120
I
D
(A)
100
(1)
003aac446
120
P
DER
(%)
80
03aa16
80
60
40
40
20
0
0
50
100
150
200
T
mb
(°C)
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
图1 。
连续漏极电流的一个函数
安装基座的温度
10
3
I
AL
(A)
10
2
图2 。
归一化的总功耗为
的安装基座温度功能
003aac266
(1)
(2)
10
(3)
1
10
-1
10
-3
10
-2
10
-1
1吨（MS ） 10
AL
图3 。
单脉冲和重复雪崩额定值;雪崩电流的雪崩时间的函数
PSMN1R7-30YL
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版本04 - 2010年4月20日
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