恩智浦半导体
PSMN1R7-30YL
N沟道30 V 1.7毫欧的LFPAK逻辑电平MOSFET
4.极限值
表4 。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
E
DS （ AL ）R
E
DS （ AL ）S
极限值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源出电流
峰源电流
重复的漏 - 源
雪崩能量
不重复
漏源
雪崩能量
T
mb
= 25 °C
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25 °C
SEE
科幻gure 3
V
GS
= 10 V ;牛逼
J（下INIT ）
= 25°C ;我
D
= 100 A;
V
SUP
≤
30 V ;
GS
= 50
;
松开
[2][3][4]
[1]
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
条件
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 ℃;
GS
= 20 k
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 100 ℃;看
图1
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 25°C ;看
图1
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25 °C;
SEE
图4
T
mb
= 25°C ;看
图2
[1]
[1]
民
-
-
-20
-
-
-
-
-55
-55
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
30
30
20
100
100
790
109
175
175
100
790
-
241
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
J
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
[1]
[2]
[3]
[4]
连续电流通过封装的限制。
单脉冲雪崩额定值受175° C的最高结温。
重复雪崩额定值的限制由在170℃的平均结温。
请参考应用笔记AN10273了解更多信息。
PSMN1R7-30YL
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版本04 - 2010年4月20日
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