恩智浦半导体
PSMN1R7-30YL
N沟道30 V 1.7毫欧的LFPAK逻辑电平MOSFET
6.特性
表6 。
符号
V
（ BR ） DSS
特征
参数
漏源
击穿电压
条件
I
D
= 20 A; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25°C ;吨
av
=
100纳秒
I
D
= 250 μA ; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
I
D
= 250 μA ; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= -55 °C
V
GS （ TH）
门极 - 源
电压
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
; T
j
= 25 °C;
SEE
图14 ;
SEE
图15
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
; T
j
= 150 °C;
SEE
图15
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
; T
j
= -55 °C;
SEE
图15
I
DSS
I
GSS
R
DSON
漏极漏电流
栅极漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
DS
= 30 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
DS
= 30 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 150 °C
V
GS
= 16 V; V
DS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= -16 V; V
DS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 15 A;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= 10 V ;我
D
= 15 A;牛逼
j
= 150 °C;
SEE
图16
V
GS
= 10 V ;我
D
= 15 A;牛逼
j
= 100 °C;
SEE
图16
V
GS
= 10 V ;我
D
= 15 A;牛逼
j
= 25 °C
R
G
Q
G（ TOT ）
栅极电阻
总栅极电荷
F = 1 MHz的
I
D
= 10 A; V
DS
= 12 V; V
GS
= 10 V;
SEE
图17 ;
SEE
图18
I
D
= 0 ; V
DS
= 0 V; V
GS
= 10 V
I
D
= 10 A; V
DS
= 12 V; V
GS
= 4.5 V;
SEE
图17
Q
GS
Q
GS （ TH）
Q
GS （ TH- PL ）
Q
GD
V
GS （ PL ）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极 - 源电荷
预阈
栅极 - 源电荷
后门槛
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅源高原
电压
输入电容
输出电容
反向传输
电容
V
DS
= 12 V;
SEE
图17 ;
SEE
图18
V
DS
= 12 V; V
GS
= 0 V ; F = 1兆赫;
T
j
= 25°C ;看
图19
I
D
= 10 A; V
DS
= 12 V; V
GS
= 4.5 V;
SEE
图17 ;
SEE
图18
动态特性
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
77.9
70
36.2
11.6
8
3.6
8.7
2.34
5057
1082
398
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
nC
nC
nC
nC
nC
nC
nC
V
pF
pF
pF
民
35
30
27
1.3
0.65
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
1.7
-
-
-
-
-
-
1.75
-
-
1.29
0.77
最大
-
-
-
2.15
-
2.45
1
100
100
100
2.09
2.8
2.4
1.7
1.5
单位
V
V
V
V
V
V
A
A
nA
nA
m
m
m
m
经测试， JEDEC标准适用。
静态特性
PSMN1R7-30YL
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产品数据表
版本04 - 2010年4月20日
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