288MB ： X9 ， X18 ， X36 2.5V V
EXT
, 1.8V V
DD
， HSTL ， CIO ， RLDRAM II
电气规格 - 直流和交流
7. V
TT
预计将被设定等于V
REF
并且必须跟踪变化为V的DC电平
REF
.
8.片上终端可以使用模式寄存器位9 （见图11 32页）中选择。一
电阻R
TT
从每一个数据输入信号为最接近V
TT
可以启用。
R
TT
= 125-185Ω在95 ° （C T）
C
.
9. I
OH
我
OL
被定义为绝对值，并在V测量
DD
Q / 2 。我
OH
从FL OWS
设备，我
OL
流入设备。
10.如果刘健位A8为0 ，使用RQ = 250Ω公式中代替外部阻抗的存在
ANCE匹配电阻。
11. V
OL
和V
OH
，请参考RLDRAM II的HSPICE或IBIS驾驶者模型。
表8：
交流输入逻辑水平
注意事项1-3适用于整个表;除非另有说明： + 0℃下
≤
T
C
≤
+ 95°C ; + 1.7V
≤
V
DD
≤
+1.9V
描述
输入高电平（逻辑1 ）电压
输入低电平（逻辑0 ）电压
注意事项：
符号
V
IH
V
IL
民
V
REF
+ 0.2
–
最大
–
V
REF
- 0.2
单位
V
V
1.所有电压参考V
SS
（GND）。
2.交流和直流输入电平规格如HSTL标准定义（即，
接收器将有效地切换为交叉的AC输入电平的信号的结果，并且将
保持该状态，只要信号不响向后上方[下文] DC输入
低[高]级） 。
3.最小压摆率用于测试设备的输入信号的范围是2伏/毫微秒
V之间
IL
(
AC
）和V
IH
(
AC
） 。见下图：
V
DD
Q
V
IH
(
AC
）分
V
摇摆
V
IL
(
AC
）最大
GND
上升时间：
2 V / ns的
下降时间：
2 V / ns的
PDF ： 09005aef80a41b46 /来源： 09005aef809f284b
288Mb_RLDRAM_II_CIO_D2.fm - 冯M 9/07 EN
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