288MB ： X9 ， X18 ， X36 2.5V V
EXT
, 1.8V V
DD
， HSTL ， CIO ， RLDRAM II
电气规格 - 我
DD
注意事项：
1. I
DD
规格测试后，该设备已正确初始化。 + 0 ℃，
≤
T
C
≤
+ 95°C ; + 1.7V
≤
V
DD
≤
+1.9V, +2.38V
≤
V
EXT
≤
+2.63V, +1.4V
≤
V
DD
Q
≤
V
DD
, V
REF
= V
DD
Q/2.
2.
t
CK -
t
DK = MIN ，
t
RC = MIN 。
3.输入转换率是19页中指定的表8 。
4.定义，因为我
DD
条件：
4A 。 LOW定义为V
IN
≤
V
IL
(
AC
）最大。
4B 。高被定义为V
IN
≥
V
IH
(
AC
）最小。
4C 。稳定是指维持在高或低电平输入。
4D 。浮动被定义为输入在V
REF
= V
DD
Q/2.
4E 。连续数据被定义为一半的DQ信号高低不同的变化
每半个时钟周期（每两次时钟） 。
4F 。连续的地址被定义为一半的地址信号HIGH和之间变化
LOW每个时钟周期（每一次时钟） 。
4克。顺序存储体访问被定义为存储体地址由一个每个递增
t
RC 。
4H 。环状银行存取被定义为存储体地址由一个用于每个的COM递增
命令访问。对于BL = 2 ，这是每一个时钟，用于BL = 4 ，这是其他所有的时钟，以及
BL = 8 ，这是每四个时钟。
5. CS ＃为高电平，除非读取，写入， AREF ，或MRS命令注册。 CS ＃从未跃迁
系统蒸发散不是每个时钟周期以上。
6. I
DD
参数指定了ODT禁用。
7.测试交流时间，我
DD
和电气交流和直流特性可以在公称进行
最终参考/电源电压电平，但相关的规范和设备操作
测试所指定的全电压范围。
8. I
DD
测试可以使用V
IL
-to -V
IH
摆动高达1.5V ，在测试环境中，但输入定时
还是参考V
REF
（或交叉点CK / CK ＃ ） ，和参数特定网络阳离子
进行测试，以便在正常使用条件下，指定的AC输入电平。最小回转
速率为用于测试设备的输入信号是在V的范围为2伏/毫微秒
IL
(
AC
）和
V
IH
(
AC
).
PDF ： 09005aef80a41b46 /来源： 09005aef809f284b
288Mb_RLDRAM_II_CIO_D2.fm - 冯M 9/07 EN
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