NILMS4501N
功率MOSFET
电流镜FET
24 V ， 9.5 A， N通道， ESD保护，
1 ： 250电流镜， SO- 8无铅
http://onsemi.com
N沟道MOSFET ，用1： 250的电流镜装置利用所述
最新的半导体技术，实现了优异的低图
同时保持高精确度的线性区域。该器件采用
利用最新的无铅QFN封装，以提高热
传输。
特点
V
DSS
24 V
R
DS （ ON）
典型值
12毫瓦@ 4.5 V
I
D
最大
9.5 A
N沟道与电流
镜FET
漏
电流检测MOSFET
"15%
电流镜精度
ESD保护的主，镜像MOSFET
低栅电荷
无铅包装是可用*
主
门
应用
DC-DC转换器
稳压器模块
小DC电机控制
SENSE
来源
记号
图
PLLP4
CASE 508AA
4501N
A
Y
WW
G
=器件代码
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
4501N
AYWW
G
引脚连接
SENSE （ 1 ）
漏极（4）
源（2）
门（3）
（底视图）
订购信息
设备
NILMS4501NR2
NILMS4501NR2G
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
包
PLLP4
PLLP4
（无铅）
航运
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
出版订单号：
NILMS4501N/D
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年5月 - 第4版
