NILMS4501N
典型电气特性
2.5
V
GS
= 10 V
I
D
= 3 A
2.0
I
DSS
，漏电（ NA）
1E6
V
GS
= 0 V
1E5
1000
100
10
1.0
0.1
0
50
0.01
0
5
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 175°C
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极电阻
（归一化）
1.5
1.0
0.5
0
50
100
150
200
10
15
20
25
T
J
，结温（ ° C）
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图7.导通电阻变化与
温度
I
RAT
，主/ MIRROR MOSFET电流比
I
RAT
，主/ MIRROR MOSFET电流比
500
450
400
350
图8.漏极至源极漏
电流与电压
2000
1800
I
D
= 1 A
V
GS
= 4.5 V
T
J
= 55°C
T
J
= 25°C
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
0
2
4
6
8
10
12
T
J
= 55°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
I
D
= 1 A
V
SENSE
= 0 V
V
来源
= 0 V
T
J
= 125°C
T
J
= 175°C
300 T
J
= 175°C
250
200
2.0
14
16
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
R
SENSE
，外部电阻值对检测引脚（ W）
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图9.流动比率与
SENSE
I
RAT
，主/ MIRROR MOSFET电流比
I
RAT
，主/ MIRROR MOSFET电流比
图10.流动比率与V
GS
2500
T
J
= 55°C
I
D
= 1 A
V
SENSE
= 0 V
V
GS
= 4.5 V
2000
1800
I
D
= 1 A
V
来源
= 0 V
1600 V
GS
= 4.5 V
1200
1000
800
600
400
200
0
0.01
0.005
0
0.005
0.01
0.015
0.02
55°C
25°C
125°C
175°C
2000
1400
1500
25°C
125°C
500
T = 175℃
0
J
0.01 0.005 0
1000
0.005
0.01 0.015
0.02 0.025 0.03
V
来源
电压降从源代码引脚接地（ V）
V
SENSE
电压下降，由SENSE引脚接地（ V）
图11.我
比
与V
来源
图12.流动比率与V
SENSE
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