NILMS4501N
主MOSFET电气特性
（续）
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
特征
动态特性
（注6 ）
输入电容
输出电容
传输电容
开关特性
（注6 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷
(V
DS
= 6.0 V，I
D
= 2.0 A，V
GS
= 4.5 V)
(V
DD
= 6.0 V，I
D
= 2.0 A,
V
GS
= 10 V ，R
G
= 2.5
W)
(V
DD
= 6.0 V，I
D
= 2.0 A,
V
GS
= 4.5 V ，R
G
= 2.5
W)
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
T
Q
G（ TH ）
Q
gs
Q
gd
栅极电荷
(V
DS
= 6.0 V，I
D
= 2.0 A，V
GS
= 10 V)
Q
T
Q
G（ TH ）
Q
gs
Q
gd
源极 - 漏极二极管的特性
在正向电压
（注5 & 6 ）
反向恢复时间
（注6 ）
(I
S
= 3.0 A，V
GS
= 0 V ，二
S
/ DT = 100 A / MS）
反向恢复存储
负责（注6 ）
5.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
6.开关特性是独立的工作结点温度。
(I
S
= 6.0 A，V
GS
= 0 V)
(I
S
= 6.0 A，V
GS
= 0 V ，T
J
= 175°C)
V
SD
t
rr
t
a
t
b
Q
RR
0.80
0.57
42
19.5
22.5
0.042
1.1
55
25
30
0.06
mC
V
ns
12
15
17
6.0
8.5
15
22.5
6.5
11
1.7
3.5
3.6
23.5
4.4
5.6
2.5
14
18
20
8.0
11
20
27
9.0
14
2.5
4.5
4.3
25
5.5
10
7.0
nC
nC
ns
ns
(V
DS
= 6.0 V, V
GS
= 0 V ， F = 1.0兆赫）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
1380
870
275
1500
1000
350
pF
符号
民
典型值
最大
单位
http://onsemi.com
3
