NILMS4501N
功率MOSFET
电流镜FET
24 V ， 9.5 A， N通道， ESD保护，
1 ： 250电流镜， SO- 8无铅
http://onsemi.com
N沟道MOSFET ，用1： 250的电流镜装置利用所述
最新的半导体技术，实现了优异的低图
同时保持高精确度的线性区域。该器件采用
利用最新的无铅QFN封装，以提高热
传输。
特点
V
DSS
24 V
R
DS （ ON）
典型值
12毫瓦@ 4.5 V
I
D
最大
9.5 A
N沟道与电流
镜FET
漏
电流检测MOSFET
"15%
电流镜精度
ESD保护的主，镜像MOSFET
低栅电荷
无铅包装是可用*
主
门
应用
DC-DC转换器
稳压器模块
小DC电机控制
SENSE
来源
记号
图
PLLP4
CASE 508AA
4501N
A
Y
WW
G
=器件代码
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
4501N
AYWW
G
引脚连接
SENSE （ 1 ）
漏极（4）
源（2）
门（3）
（底视图）
订购信息
设备
NILMS4501NR2
NILMS4501NR2G
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
包
PLLP4
PLLP4
（无铅）
航运
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
出版订单号：
NILMS4501N/D
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年5月 - 第4版
NILMS4501N
主MOSFET的最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（注1 ）
连续@ T
A
= 25°C
连续@ T
A
= 100°C
脉冲（T
p
v10
s)
总功率耗散@ T
A
= 25 ° C（注1 ）
总功率耗散@ T
A
= 25 ° C（注2 ）
热阻
结到环境（注1 ）
结到环境（注2 ）
结到环境（T
p
v10
多个） （注3）
工作结温和存储温度
单脉冲漏极 - 源极雪崩（V
DD
= 24 V, V
GS
= 10 V,
I
L
= 9.5 ， L = 1.0 mH的，R
G
= 25
W)
静电放电能力
人体模型
带电器件模型
符号
V
DSS
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
P
D
R
qJA
R
qJA
R
qJA
T
J
, T
英镑
E
AS
价值
24
"10
9.5
6.7
14
2.7
1.4
55
110
25
-55至175
50
°C
mJ
V
ESD
HBM
CMD
4000
2000
单位
V
V
ADC
ADC
APK
W
° C / W
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸（铜面积为1.127平方英寸[ 1盎司]包括痕迹） 。
2.表面安装在FR4电路板使用的最低建议焊盘尺寸（铜面积=在平0.0821 ） 。
3.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸（铜面积为1.127平方英寸[ 1盎司] ，包括走线）和200 LFM气流。
主MOSFET电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压
(V
GS
= 0 V，I
D
= 250
毫安）
温度系数（正）
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V)
(V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125°C)
(V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 175°C)
门体漏电流
(V
GS
= 3.0 V, V
DS
= 0 V)
(V
GS
= 9.0 V, V
DS
= 0 V)
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
毫安）
阈值温度系数（负）
静态漏 - 源极导通电阻（注4 ）
(V
GS
= 10 V，I
D
= 6.0 A，T
J
@ 25°C)
(V
GS
= 10 V，I
D
= 6.0 A，T
J
@ 125°C)
(V
GS
= 10 V，I
D
= 6.0 A，T
J
@ 175°C)
静态漏 - 源极导通电阻（注4 ）
(V
GS
= 4.5 V，I
D
= 6.0 A，T
J
@ 25°C)
(V
GS
= 4.5 V，I
D
= 6.0 A，T
J
@ 125°C)
(V
GS
= 4.5 V，I
D
= 6.0 A，T
J
@ 175°C)
主/镜像MOSFET流动比率
(V
GS
= 4.5 V，I
D
= 1.0 A)
(V
GS
= 4.5 V，I
D
= 1.0 A，T
A
= 175°C)
正向跨导（注4 ）
(V
DS
= 6.0 V，I
D
= 6.0 A)
4.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比= 2 ％ 。
V
GS （ TH）
1.1
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
I
RAT
212
15
12
16
18
250
268
23
16
20
24
287
9.0
12
14
13
17
20
mW
1.60
5.0
2.0
V
毫伏/°C的
mW
V
（ BR ） DSS
24
I
DSS
I
GSS
40
1.3
100
10
nA
mA
0.05
1.0
30
1.0
100
100
29
23
V
毫伏/°C的
mA
符号
民
典型值
最大
单位
g
FS
姆欧
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2
NILMS4501N
典型电气特性
6
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
5
4
3
2.4 V
2
1
0
25
2.6 V
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
V
GS
= 10 V
4.5 V
3.0 V
2.8 V
V
GS
= 10 V
4.6 V
4.0 V
3.6 V
3.2 V
3.0 V
20
15
2.8 V
10
2.6 V
5
2.4 V
0
2.2 V
0
0.5
1
1.5
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
2
2.2 V
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
1
图1.区域特征
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
图2.区域特征
20
V
DS
=10 V
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
15
0.024
0.022
0.020
0.018
0.016
0.014
0.012
0.010
0.008
0.006
0.004
0.002
0
V
GS
= 4.5 V
T
J
= 175°C
T
J
= 125°C
10
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 55°C
5
T
J
= 175°C
T
J
= 25°C
T
J
= 55°C
0
0
0.4 0.8 1.2 1.6
2
2.4 2.8 3.2 3.6
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
4
0
5
10
15
20
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
图3.传输特性
图4.导通电阻与
漏电流和温度
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
0.018
0.016
0.014
0.012
0.010
0.008
0.006
0.004
0.002
0
0
5
10
15
20
T
J
= 25°C
T
J
= 55°C
V
GS
= 10 V
T
J
= 175°C
0.03
I
D
= 10 A
0.025
T
J
= 125°C
0.02
T
J
= 175°C
0.015
T
J
= 125°C
0.01
T
J
= 25°C
T
J
= 55°C
0.005
2
3
5
5
6
7
8
9
10
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图5.导通电阻与
漏电流和温度
图6.导通电阻与栅极电压
和温度
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4
QQ：2880707522 复制
