IFREN
XADR
XE
MAS1
YE=SE=OE=0
抹去
Tnvs
NVSTR
Tnvh1
TME
TRCV
图3-6闪存整体擦除周期
3.5时钟操作
该56F802器件时钟由一个片松弛振荡器产生。内部PLL生成
主参考频率决定了芯片的操作发生的速度。
在PLLCR （锁相环控制寄存器）字（位2）的PRECS位必须被设置为0，内部
振荡器使用。
3.5.1
利用片上张弛振荡器
该56F802内部弛张振荡器提供时钟芯片无需外部晶振
或陶瓷谐振器。这个内部振荡器的频率输出可以通过调整的8位被校正
IOSCTL （内部振荡器控制）寄存器。每个比特添加或删除改变的输出频率
振荡器允许增量调节，直至所需的频率来实现的。图9和图10
显示56F802张弛振荡器的典型特征相对于温度和微调
值。
在工厂的生产测试，振荡器校准程序执行该决定的
对于一个给定的设备（ 8MHz的25最佳调整值
o
C） 。这个最佳调整值被存储在地址
$ 103F的数据闪存信息块，并在启动顺序修剪程序中回忆
（在上电和复位执行） 。这种微调例程会自动设定振荡器频率的
编程IOSCTL寄存器与最佳调整值。
56F802技术数据，版本9
22
飞思卡尔半导体公司
