表3-7闪存时序参数
工作条件：
V
SS
= V
SSA
= 0 V, V
DD
= V
DDA
= 3.0 3.6V ，T
A
= -40 °至+ 85°C ，C
L
≤
50pF
特征
节目时间
擦除时间
整体擦除时间
耐力
1
数据保留
1
符号
民
20
20
100
10,000
10
典型值
–
–
–
20,000
30
最大
–
–
–
–
–
单位
us
ms
ms
周期
岁月
科幻gure
图3-4
图3-5
图3-6
T
前卫*
T
删除*
T
我*
E
CYC
D
RET
下面的参数只能在手动字编程模式下使用
PROG / ERASE到NVSTR集
运行时间
NVSTR保持时间
NVSTR保持时间（包括整体擦除）
NVSTR到程序设置时间
恢复时间
T
NVS *
–
5
–
us
图3-4 ，
图3-5 ，
图3-6
图3-4 ，
图3-5
图3-6
图3-4
图3-4 ，
图3-5 ，
图3-6
图3-4
T
NVH *
T
nvh1*
T
PGS *
T
RCV *
–
–
–
–
5
100
10
1
–
–
–
–
us
us
us
us
累积计划
HV期
2
程序保持时间
3
地址/数据建立时间
3
地址/数据保持时间
3
T
hv
T
PGH
T
ADS
T
ADH
–
3
–
ms
–
–
–
–
–
–
–
–
–
图3-4
图3-4
图3-4
1.一个周期等于一个擦除程序和读取。
2. THV是累积的高电压编程时间到下擦除之前在同一行。同一地址不能
接下来擦除编程前两次。
3.参数由设计，智能编程模式保证必须是一个周期以上。
*闪存接口单元对这些参数的控制提供了寄存器。
56F802技术数据，版本9
20
飞思卡尔半导体公司
