闪存特性
数据有效状态，当信号电平达到V
OL
或V
OH
数据无效的状态中，当信号电平为V之间的过渡
OL
和V
OH
DATA1 VALID
Data1
数据无效状态
数据活动
DATA2 VALID
Data2
数据
三态
数据活动
数据3有效
Data3
图3-3信号状态
3.4闪存特性
表3-5闪存真值表
模式
待机
读
Word程序
页擦除
整体擦除
XE
1
L
H
H
H
H
YE
2
L
H
H
L
L
SE
3
L
H
L
L
L
OE
4
L
H
L
L
L
PROG
5
L
L
H
L
L
抹去
6
L
L
L
H
H
MAS1
7
L
L
L
L
H
NVSTR
8
L
L
H
H
H
1. X地址使能，所有的行被禁用时XE = 0
2. Y地址使能， YMUX被禁用时，叶= 0
3.读出放大器使能
4.输出使能，三态闪存数据输出总线，当OE = 0
5.定义程序循环
6.定义擦除周期
7.定义整体擦除周期，擦除整个块
8.定义非易失性存储周期
表3-6 IFREN真值表
模式
读
Word程序
页擦除
整体擦除
IFREN = 1
阅读信息块
程序信息块
删除信息块
同时删除块
IFREN = 0
读主存块
程序主存块
擦除主存块
擦除主存块
56F802技术数据，版本9
飞思卡尔半导体公司
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